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　　1.晶界分散技藝

　　傳統(tǒng)燒結(jié)磁體的工藝：按肯定的配比熔煉和鍛造制作出小片的NdFeB，而后詐騙氫爆和精磨制成2-10μm的粉末微粒，再壓成磁場(chǎng)定向的小塊，而后燒結(jié)退火，再把燒結(jié)塊按需求的尺寸切割成磁體，表面研磨、倒角，表面鍍防腐層。傳統(tǒng)工藝中，鏑(Dy)和鋱(Tb)在熔煉工序加入，重稀土元素在終的磁體中會(huì)平均分散，全部永磁體截面的矯頑力相同。

　　晶界分散技藝(GBD)：在切割和研磨階段，在磁體表面上敷上富含鏑或鋱的化合物，而后經(jīng)過(guò)一個(gè)24~36小時(shí)的熱處理工藝將重稀土元素分散進(jìn)永磁體。(詳細(xì)的晶界分散工藝技藝品種還很多，每個(gè)永磁體廠家都有所差異)

　　晶界分散技藝的磁體含有更少的重稀土元素(HRE)，因?yàn)樵诨辖鹬械闹叵⊥梁坎环溜@赫減少，在某些狀況下不妨消除，平常在0–4%的分量百分比界線內(nèi)(wt%)，同時(shí)分散平常是在低于1%的Tb或Dy的品質(zhì)分?jǐn)?shù)界線內(nèi)進(jìn)行的。

　　晶界分散技藝不妨運(yùn)用1/3~1/2的傳統(tǒng)工藝運(yùn)用的鏑或鋱的用量抵達(dá)和傳統(tǒng)工藝磁體相同高的剩磁(Br)和矯頑力(Hcj)。

　　2.EV/HEV電機(jī)轉(zhuǎn)子特點(diǎn)

　　是一張有限元法(FEA)計(jì)算的高退磁磁場(chǎng)下的轉(zhuǎn)子永磁體的磁密場(chǎng)圖。不妨看出在角落和邊緣位置有較高的退磁磁場(chǎng)，因此在這些位置需求更多的抗退磁保護(hù)。

　　GBD工藝剛好不妨提供這種保護(hù)，因?yàn)樵诮锹浜瓦吘壩恢肏RE增添，而且這種保護(hù)的本錢相比于傳統(tǒng)工藝更低。

　　3.分散永磁磁體中稀土元素的分散

　　電子探針顯微鏡下的鋱分散磁體截面map：

　　顯現(xiàn)4個(gè)面有顯然的Tb層，和角落部分增添的Tb分散特征;顯現(xiàn)此外兩個(gè)面沒(méi)有Tb分散產(chǎn)生，注腳這些的滲透是從四個(gè)面進(jìn)行的。顯現(xiàn)同一個(gè)面內(nèi)的Tb分散相當(dāng)不平均。

　　整體上分散紀(jì)律：角落>邊緣>中心，晶界>地區(qū)>晶粒。